[发明专利]阻挡层、成膜方法以及处理系统无效
| 申请号： | 201080025342.9 | 申请日： | 2010-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102804351A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 三好秀典 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;C23C16/06;H01L21/285;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻挡层、成膜方法以及处理系统。该成膜方法用于对被处理体实施成膜处理，该被处理体在表面形成有绝缘层(1)，该绝缘层(1)由具有凹部(2)的low-k膜构成，金属层(3)暴露于该凹部(2)的底面，该成膜方法包括：第1金属含有膜形成工序，其用于形成第1金属含有膜，该第1金属含有膜含有第1金属、例如钌(Ru)；第2金属含有膜形成工序，其在上述第1金属含有膜形成工序之后进行，用于形成第2金属含有膜，该第2金属含有膜含有对填充到上述凹部中的填充金属具有阻挡性的第2金属、例如锰(Mn)。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 方法 以及 处理 系统 | ||
【主权项】：
一种成膜方法，其用于对在表面形成有绝缘层的被处理体实施成膜处理，该绝缘层由具有凹部的low‑k膜构成，金属层暴露于该凹部的底面；其特征在于，该成膜方法包括以下工序：第1金属含有膜形成工序，其用于形成第1金属含有膜，该第1金属含有膜含有第1金属；第2金属含有膜形成工序，其在上述第1金属含有膜形成工序之后进行，其用于形成第2金属含有膜，该第2金属含有膜含有第2金属，该第2金属对填充到上述凹部中的填充金属具有阻挡性；上述第2金属为Mn。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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