[发明专利]介电材料、由其形成子组件的方法以及由此形成的子组件有效
| 申请号： | 201080025702.5 | 申请日： | 2010-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102481598A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 桑卡尔·K·保罗;斯科特·D·肯尼迪;迪尔克·M·巴尔斯 | 申请（专利权）人： | 罗杰斯公司 |
| 主分类号： | B05D7/16 | 分类号： | B05D7/16;C08K3/00;C08K3/22;C08K3/36;C08L15/00;C08L71/12;C09J171/12;H05K1/03;H05K3/38;C08J5/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;李春晖 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电路子组件，包括由介电组合物形成的介电层，在以该组合物的总体积计的情况下，该介电组合物包括：约15至约65体积百分比的介电填料；以及约35至约85体积百分比的热固性组合物，该热固性组合物包括：聚芳醚，以及羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 形成 组件 方法 以及 由此 | ||
【主权项】：
一种电路子组件，包括由介电组合物形成的介电层，在以所述组合物的总体积计的情况下，所述介电组合物包括：约15至约65体积百分比的介电填料；和约35至约85体积百分比的热固性组合物，所述热固性组合物包括：聚芳醚，和羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物。
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