[发明专利]充电保护装置有效
| 申请号： | 201080025945.9 | 申请日： | 2010-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102804376A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | J·周;D·吴;J·F·布勒 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英国开*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 浅沟槽隔离的绝缘体上覆硅(silicon-on-insulator；SOI)装置形成有经改善的充电保护。本发明的实施例包含作为充电保护装置的SOI薄膜二极管(411)与P+衬底接面。本发明的实施例亦包含自该SOI晶体管漏极(415)透过导电接点(451)、金属线(459)、第二导电接点(453)、与该晶体管(409)隔离的SOI二极管(411)、第三导电接点(455)、第二导线(461)、以及第四导电接点(457)至该SOI衬底的块体硅层(403)中经P+型掺杂的衬底接点(449)的导电路径。 | ||
| 搜索关键词： | 充电 保护装置 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：于块体硅衬底(403)上形成绝缘层(401)；于该绝缘层(401)上形成主动硅层(405)；于该主动硅层(405)上形成晶体管(409)，该晶体管包含形成于该主动硅层(405)中的源极/漏极区域(413、415)；于该主动硅层(405)上形成二极管(411)，该二极管(411)包含两个主动区域(417、419)；以及将该漏极区域(415)、主动二极管区域(417、419)、以及块体硅层(403)电性连接，以形成充电保护装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
