[发明专利]氮化镓系化合物半导体发光二极管无效
| 申请号： | 201080026102.0 | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102804415A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 岩永顺子;横川俊哉;山田笃志 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的发光二极管元件具有主面(7a)是m面的n型GaN基板(7)和在基板(7)的主面(7a)上设置的层叠结构。该层叠结构具有：n型半导体层(2)；位于n型半导体层(2)的上表面的第一区域(2a)上的活性层(3)、p型半导体层(4)、阳极电极层(5)；以及在n型半导体层(2)的上表面的第二区域(2b)上形成的阴极电极层(6)。n型半导体层(2)、活性层(3)以及p型半导体层(4)都是通过m面生长而形成的外延生长层。基板(7)以及n型半导体层(2)中的n型杂质的浓度设定在1×1018cm-3以下。当从与主面(7a)垂直的方向观察时，阳极电极层(5)与阴极电极层(6)的间隔为4μm以下，在从阴极电极层(6)的边缘中的与阳极电极层(5)相对置的部分起相距的距离为45μm以下的区域内配置有阳极电极层(5)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化镓系化合物半导体发光二极管元件，具有：第一导电型半导体基板，其由氮化镓系化合物形成，并包括主面以及背面，且上述主面是非极性面；第一导电型半导体层，其由氮化镓系化合物形成，并形成在上述第一导电型半导体基板的上述主面上；半导体层叠结构，其是设置在上述第一导电型半导体层的第一区域上的半导体层叠结构，且包括由氮化镓系化合物构成的第二导电型半导体层、和位于上述第一导电型半导体层与上述第二导电型半导体层之间的活性层；第一电极层，其设置在上述第一导电型半导体层的第二区域上；以及第二电极层，其设置在上述第二导电型半导体层上，上述第一导电型半导体基板以及上述第一导电型半导体层中的第一导电型杂质的浓度为1×1018cm‑3以下，当从与上述主面垂直的方向观察时，上述第一电极层与上述第二电极层的间隔为4μm以下，并且，在从上述第一电极层的边缘中的与上述第二电极层相对置的部分起相距的距离为45μm以下的区域内配置上述第二电极层。
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