[发明专利]半导体装置

摘要

在有源区域(1)和漏区(2)之间形成有第一平行pn层(12)。外围区域(3)设置有第二平行pn层(15)，其重复节距比所述第一平行pn层(12)的重复节距窄。在所述第二平行pn层(15)和第一主表面之间形成有n-表面区域(18)。在n-表面区域(18)的第一主表面侧，形成彼此间隔开的多个p保护环区域(19)、(20)和(21)。场板电极(23)电连接至p保护环区域(19)、(20)和(21)中最外面的p保护环区域(19)。沟道终止电极(24)电连接至外围区域(3)中最外面的外围p区域(26)。

主权项

一种半导体装置，包括：在第一主表面侧形成的有源区域；在第二主表面侧形成的低电阻层；在所述有源区域和所述低电阻层之间形成的第一平行pn层，且所述pn层由具有第一导电率的第一区域和具有第二导电率的第一区域交替构成；在围绕所述有源区域的外围区域中形成的第二平行pn层，所述第二平行pn层由具有第一导电率的第二区域和具有第二导电率的第二区域交替构成，其重复节距比具有第一导电率的第一区域和具有第二导电率的第一区域的重复节距窄；在所述第二平行pn层和所述第一主表面之间形成的具有第一电导率的第三区域；在具有所述第一电导率的第三区域的所述第一主表面侧上形成为彼此间隔开的多个具有所述第二电导率的第三区域；电连接至具有所述第二电导率的所述第三区域中的最外面的具有所述第二电导率的所述第三区域的第一导电层；以及电连接至所述外围区域的端接处的第二导电层。