[发明专利]耐酸蚀刻的保护涂层有效
申请号: | 201080026458.4 | 申请日: | 2010-03-19 |
公开(公告)号: | CN102804347A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 唐廷基;G·徐;X-F·钟;洪文斌;T·D·弗莱;K·耶斯;R·K·特里舒尔 | 申请(专利权)人: | 布鲁尔科技公司 |
主分类号: | H01L21/312 | 分类号: | H01L21/312 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 王颖 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了新组合物以及在半导体和MEMS设备生产过程中使用这些组合物作为保护层的方法。所述组合物包含分散或溶解在溶剂体系中的环烯烃共聚物,可用于形成在酸蚀刻或其它加工和操作过程中保护基片的层。保护层可以是光敏或非光敏的,可与保护层下方的底漆层一起使用,或者不存在底漆层。优选的底漆层包含在溶剂体系中的碱性聚合物。 | ||
搜索关键词: | 耐酸 蚀刻 保护 涂层 | ||
【主权项】:
一种形成微电子结构的方法,所述方法包括:提供具有表面的基片;任选地,在所述基片表面上形成底漆层;如果存在所述底漆层,在所述底漆层上形成保护层,或者如果不存在底漆层,在所述基片表面上形成保护层,从而产生保护叠层,所述保护层由包含溶解或分散在溶剂体系中的环烯烃共聚物的组合物形成;和使所述保护叠层经历酸蚀刻过程。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于布鲁尔科技公司,未经布鲁尔科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080026458.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:油缸头铸件螺栓孔模具
- 下一篇:一种兰花吊模具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造