[发明专利]成膜装置有效
| 申请号： | 201080026689.5 | 申请日： | 2010-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102473609A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 清水康男;森胜彦;松本浩一;冈山智彦;森冈和 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/46;C23C16/509;C23C16/54;H01L31/04;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 杨晶;王琦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 该成膜装置(10)包括：阴极单元(68)；以及离开所述阴极单元(68)并对置配置的阳极(67)，该阴极单元(68)包括：电极板(76)，施加有电压；温度调整流体用流路(92)，设置在所述电极板(76)上，温度调整流体在该温度调整流体用流路中循环；簇射极板(75)，与所述电极板(76)接触，并具有用于向基板(W)的被成膜面供给工艺气体的多个孔(74)；热交换用板(91)，设置在所述电极板(76)与所述簇射极板(75)之间，并与所述电极板(76)和所述簇射极板(75)接触；以及气体流路(107)，设置在所述热交换用板(91)上，并将所述工艺气体导入到所述热交换用板(91)，且将被导入到所述热交换用板(91)的工艺气体引导至所述簇射极板(75)的所述多个孔(74)。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 | ||
【主权项】：
一种成膜装置，其特征在于，包括：阴极单元；以及离开所述阴极单元并对置配置的阳极，该阴极单元包括：电极板，施加有电压；温度调整流体用流路，设置在所述电极板上，温度调整流体在该温度调整流体用流路中循环；簇射极板，与所述电极板接触，并具有用于向基板的被成膜面供给工艺气体的多个孔；热交换用板，设置在所述电极板与所述簇射极板之间，并与所述电极板和所述簇射极板接触；以及气体流路，设置在所述热交换用板上，并将所述工艺气体导入到所述热交换用板，且将被导入到所述热交换用板的工艺气体引导至所述簇射极板的所述多个孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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