[发明专利]有机电子器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080026822.7 | 申请日： | 2010-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102460765A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 上野滋弘;冈田政人;小向款;麻生真人;松桥岳;池田和成 | 申请（专利权）人： | 大日本印刷株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/42;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造工艺容易同时可以实现长寿命的有机电子器件。本发明提供了有机电子器件及其制造方法，所述有机电子器件是在基板上具有相对的2个以上电极和配置在2个电极之间并至少包括空穴注入层和/或空穴传输层的有机功能层的有机电子器件，其特征在于，所述空穴注入层和/或空穴传输层含有包含选自元素周期表的第5族、第6族或第8～10族中的至少1种金属元素的金属氧化物簇，是将作为多金属氧酸盐的金属氧化物簇溶解或者均匀地分散或混合在水性溶剂中而得的流动性材料呈薄膜状形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有机电子器件，是在基板上具有相对的2个以上电极、以及配置在电极之间的包括空穴注入层或/和空穴传输层的有机功能层的有机电子器件，其特征在于，至少包括空穴注入层，空穴注入层是含有包含选自元素周期表的第5族、第6族或第8～10族中的至少1种金属元素的金属氧化物簇的层，所述金属氧化物簇为多金属氧酸盐。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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