[发明专利]硅氧化物和锂离子二次电池用负极材料有效
| 申请号： | 201080026923.4 | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102460784A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 木崎信吾 | 申请（专利权）人： | 株式会社大阪钛技术 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;C01B33/113;H01M4/13 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅氧化物，其特征在于，其为锂离子二次电池的负极活性物质中可以使用的硅氧化物，用ESR分光装置测定的g值为2.0020以上2.0050以下，且将用拉曼分光装置测定的拉曼光谱中的420cm-1附近、490cm-1附近和520cm-1附近的峰的面积强度分别设为A，B和C时，A/B为0.5以上且C/B为2以下。通过利用该硅氧化物作为负极活性物质，可以得到高容量、且具有优良的循环特性和初期效率的锂离子二次电池。该硅氧化物，优选自旋密度为1×1017spins/g以上5×1019spins/g以下。另外，锂离子二次电池用负极材料，含有20质量％以上的该硅氧化物作为负极活性物质。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 锂离子 二次 电池 负极 材料 | ||
【主权项】：
一种硅氧化物，其特征在于，其为可在锂离子二次电池的负极活性物质中使用的硅氧化物，用ESR分光装置测定的g值为2.0020以上2.0050以下，且将用拉曼分光装置测定的拉曼光谱中的420cm‑1附近、490cm‑1附近和520cm‑1附近的峰的面积强度分别设为A，B和C时，A/B为0.5以上且C/B为2以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社大阪钛技术，未经株式会社大阪钛技术许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080026923.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
