[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201080027155.4 | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102804388A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 森胁弘幸 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/08;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，其具备包含多个薄膜晶体管和至少一个二极管(D2a)的电路，多个薄膜晶体管具有相同的导电型，当多个薄膜晶体管的导电型是N型时，二极管(D2a)的阴极侧的电极连接到与多个薄膜晶体管中任一个薄膜晶体管的栅极连接的配线(550)，当多个薄膜晶体管的导电型是P型时，二极管的阳极侧的电极连接到与多个薄膜晶体管中任一个薄膜晶体管的栅极连接的配线(550)，在配线(550)上未形成以与二极管(D2a)电流的流动方向相反的方式配置的其它二极管。由此，能比以往更能抑制电路规模的增大，并且能抑制起因于ESD的薄膜晶体管的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具备包含多个薄膜晶体管和至少一个二极管的电路，上述多个薄膜晶体管具有相同的导电型，当上述多个薄膜晶体管的导电型是N型时，上述至少一个二极管的阴极侧的电极连接到与上述多个薄膜晶体管中任一个薄膜晶体管的栅极连接的配线，当上述多个薄膜晶体管的导电型是P型时，上述至少一个二极管的阳极侧的电极连接到与上述多个薄膜晶体管中任一个薄膜晶体管的栅极连接的配线，在上述配线上未形成以与上述至少一个二极管电流的流动方向相反的方式配置的其它二极管。
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