[发明专利]具有形成在有纹理的表面上的接触部的半导体发光器件有效
申请号: | 201080027275.4 | 申请日: | 2010-05-27 |
公开(公告)号: | CN102804410A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | J.E.埃普勒 | 申请(专利权)人: | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/38 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 初媛媛;刘鹏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种器件包括半导体结构,所述半导体结构包括布置在n型区域(22)与p型区域(26)之间的发光层(24)。所述半导体结构包括n接触区域(23)和p接触区域(25)。所述n接触区域(23)的横截面包括多个第一区域(28),其中移除了部分所述发光层(24)和p型区域(26)以暴露所述n型区域(22)。所述多个第一区域(28)由其中所述发光层(24)和p型区域(26)仍存在于所述器件中的多个第二区域(27)分隔。所述器件还包括在所述p接触区域(25)中的半导体结构上形成的第一金属接触部(40)以及在所述n接触区域(23)中的半导体结构上形成的第二金属接触部(38)。所述第二金属接触部(38)与所述n接触区域(23)中的第二区域(27)中的至少一个电接触。 | ||
搜索关键词: | 具有 形成 纹理 表面上 接触 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】:
一种器件,包括:半导体结构,所述半导体结构包括:布置在n型区域与p型区域之间的发光层;n接触区域和p接触区域,其中所述n接触区域的横截面包括其中移除了部分所述发光层和所述p型区域以暴露所述n型区域的多个第一区域,其中所述多个第一区域由其中所述发光层和所述p型区域仍存在于所述器件中的多个第二区域分隔;以及布置在所述n接触区域与所述p接触区域之间的沟槽;在所述p接触区域中的半导体结构上形成的第一金属接触部;以及在所述n接触区域中的半导体结构上形成的第二金属接触部;其中,所述第二金属接触部与所述n接触区域中的第二区域中的至少一个电接触。
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