[发明专利]离子源清净终点侦测有效

专利信息
申请号: 201080027722.6 申请日: 2010-06-22
公开(公告)号: CN102484028A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 威尔汉·P·普拉托;奈尔·J·巴森;彼得·F·库鲁尼西;艾力克斯恩德·S·培尔;奎格·R·钱尼 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01J37/08;H01J49/10;H01J27/02;H01J9/38
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 美国麻萨诸塞*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在离子植入机中,利用法拉第杯来接收在离子源清净期间产生的离子束。所侦测的束具有指示离子源清净过程何时完成的相关联的质谱。所述质谱产生由清净剂及包括所述离子源的材料组成的信号。此信号在所述离子源腔室正被清净时随时间而升高,且一旦沉积物被自所述源腔室蚀刻掉,此信号便将变平并保持恒定,藉此利用现有植入工具来在离子源清净期间判定终点侦测。
搜索关键词: 离子源 清净 终点 侦测
【主权项】:
一种离子源腔室清净的终点侦测的方法,包括:在给定时段内将清净气体引入至所述离子源腔室中,所述离子源腔室具有由导电材料组成的内壁;使所述气体在所述离子源腔室内离子化;自所述离子源腔室提取所述经离子化的气体以形成离子束;侦测所述离子束中的离子的质谱;判定所述离子束中的所述离子的所述质谱何时指示所述离子源腔室的所述导电材料在所述给定时段内以相对恒定的比率存在于所述离子束中。
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