[发明专利]薄膜制造方法及能够用于其方法的硅材料

摘要

本发明提供一种薄膜制造方法及能够用于其方法的硅材料。以在基板(21)上形成薄膜的方式，使从蒸发源(9)飞来的粒子以真空中的规定成膜位置(33)在基板(21)上堆积。在使含有薄膜的原料的棒状材料(32)在蒸发源(9)的上方熔解的同时，将熔解的材料以液滴(14)的形式向蒸发源(9)供给。作为棒状材料(32)，使用棒状硅材料，所述棒状硅材料，从垂直于材料(32)的长轴方向的截面的中心向外周部，在长度90％的位置上存在多个分别被晶界包围的第一区域，多个第一区域的长径的面积加权平均值为200μm以下，且从中心向外周部，在长度50％的位置上存在多个分别被晶界包围的第二区域，多个第二区域的长径的面积加权平均值为1000μm。

主权项

一种薄膜制造方法，其包括：以在基板上形成薄膜的方式，使从蒸发源飞来的粒子在真空中的规定的成膜位置堆积在所述基板上的工序；使含有所述薄膜的原料的棒状材料在所述蒸发源的上方熔解，并且将熔解后的所述材料以液滴的形式向所述蒸发源供给的供给工序，作为所述棒状材料，使用如下的棒状硅材料：(a)从所述材料的与长轴方向垂直的截面的中心朝向外周部，在长度90％的位置上存在分别被晶界包围的多个第一区域，所述多个第一区域的长径的面积加权平均值为200μm以下，且(b)在从所述中心朝向所述外周部的长度50％的位置上存在多个分别被晶界包围的第二区域，所述多个第二区域的长径的面积加权平均值为1000μm以上。