[发明专利]用于混合数据、编码及缓冲存储器集成在芯片上具有基于NAND的NOR、NAND闪存及SRAM的内存系统

摘要

一种内存系统包括在单一芯片上制造的NAND闪存、NOR闪存及SRAM。该NAND及NOR内存由相同的NAND制程制造。该三个内存共享单一芯片相同的地址总线、数据总线以及引脚。该地址总线为双向的，以接收编码、数据及地址并传送输出。该数据总线亦为双向的，以接收及传送数据。该三个内存共享一外部芯片使能引脚及一外部输出使能引脚，以减少对单一芯片的引脚数量的需求。该NAND及NOR内存具有双读取页缓冲器及双写入页缓冲器，分别用于加载同时读取操作及编程同时写入操作，以加速读取和写入操作。一种内存映像方法用于选择不同的内存，状态缓存器及双读取或双写入页缓冲器。

主权项

一种单一芯片上的内存系统，其特征在于，该内存系统包括：一NAND闪存，具有一状态缓存器及多个NAND单元，所述多个NAND单元具有多个位线、多个与所述位线相平行的源极线以及多个与所述位线及所述源极线相垂直的字线；一NOR闪存，具有一状态缓存器及多个NOR单元，每一个所述NOR单元由一个对称的双NAND单元串形成，且该NOR单元具有与一位线相连的漏极、与一源极线相连的一源极，该源极线与所述位线相平行、以及与两字线相连的两个浮动闸极，该两字线与所述位线及所述源极线相垂直；一地址总线，该地址总线由该NAND闪存及NOR闪存所共享；以及一数据总线，该数据总线由该NAND闪存及NOR闪存所共享；其中，所述地址总线与所述数据总线均为双向总线，用于接收外部输入至所述内存系统且从所述内存系统传送输出，所述NAND闪存及NOR闪存均由统一的NAND制程及相同的NAND单元制造。