[发明专利]透明的整流的金属-金属氧化物-半导体接触结构及其制造方法和用途

摘要

本发明涉及透明的整流接触结构，以用在电子构件中，尤其用在光电子技术、太阳能技术和传感技术中，以及涉及这种透明的整流接触结构的制造方法。依据本发明的透明的整流接触结构具有下列组成部分：a)透明半导体；b)由金属氧化物、金属硫化物、和/或金属氮化物所制成的、透明的、非绝缘而且非导通的层，这些层的电阻率优选处在102Ωcm至107Ωcm的范围内；以及c)由透明电导体所制成的层，其中，将层b)构造在半导体a)与层c)之间，并且对层b)的组成在专利说明书中加以详细限定。

主权项

透明的整流接触结构，所述透明的整流接触结构具有下列组成部分：a)透明半导体，选自宽能带隙半导体的组，所述组包括ZnO、金刚石、ZnMgO、CuAlO2、ZnS、ZnSe、ZnCdO、Ga2O3、In2O3和有机半导体；b)透明的、非绝缘而且非导通的层，所述层由金属氧化物、金属硫化物和/或金属氮化物制成，其中，所述层的电阻率优选处在102Ωcm至107Ωcm的范围内；以及c)由透明的电导体所制成的层，其中，所述层b)构造在所述半导体a)与所述层c)之间。