[发明专利]MEMS器件有效
| 申请号： | 201080027903.9 | 申请日： | 2010-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102803125A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 巴特·范维尔岑;汉斯·范扎德尔霍夫;格雷亚·乔安娜·阿德里亚娜·玛利亚·费尔海登 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种制造MEMS器件的方法包括：形成MEMS器件元件(12)。在所述MEMS器件元件周围形成侧壁(20)，并且在所述器件元件上以及在所述侧壁内形成牺牲层(14)。在所述牺牲层上提供封装覆盖层(16)，并且去除所述牺牲层。这种方法向在MEMS器件上设置的帽盖提供附加的侧壁。然后，这些附加的侧壁可以通过不同的工艺沉积到封装覆盖层的顶部部分上，并且可以由不同的材料形成。所述侧壁可以防止牺牲层的回流，并且改善了侧壁的密封性质。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 | ||
【主权项】：
一种制造MEMS器件的方法，包括：在衬底上形成MEMS器件元件(12)；在所述MEMS器件元件周围的衬底上形成侧壁(20)；在所述器件元件上以及在所述侧壁(20)内形成牺牲层(14)；在所述牺牲层和所述侧壁上形成封装覆盖层(16)，所述封装覆盖层(16)从而覆盖且密封所述侧壁(20)、并且限定腔体的顶盖；以及去除所述牺牲层(14)。
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