[发明专利]用于由电绝缘材料形成的无电阻层的方法和装置无效
| 申请号： | 201080028048.3 | 申请日： | 2010-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102549766A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 沃尔夫.厄埃亭;保罗.安德里亚尼 | 申请（专利权）人： | 沃尔夫.厄埃亭;保罗.安德里亚尼 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提供载流基底的方法，该方法也为在该基底两侧同时形成的材料提供分别控制的膜特征，以便在该基底的一侧提供该材料的第一层，在其另一侧提供第二层，而该第一层比该第二层厚很多。该变薄层是由电绝缘材料形成的，但其被配置成对通过该层的电流不具有相当的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 绝缘材料 形成 电阻 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种沉积方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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