[发明专利]磁传感器有效
| 申请号： | 201080028529.4 | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102460199A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 渡边隆行 | 申请（专利权）人： | 旭化成微电子株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02;G01R33/07;G01R35/00;H01L43/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够在晶圆上调整灵敏度并且批量生产性良好的特性偏差小的磁传感器。磁传感器具备十字形状图案的感磁部(21)，该感磁部(21)设置在衬底(26)上，由化合物半导体形成。该感磁部(21)具备输入端子(21a、21b)和输出端子(21c、21d)，在输入端子(21a、21b)中的至少一个输入端子(21a)上经由连接电极(24)串联连接有具有化合物半导体的修调部(23)。一边进行晶圆检查(电检查)一边对经由连接电极(24)与感磁部(21)串联连接的修调部(23)进行激光修调，由此能够调整恒定电压灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
【主权项】：
一种磁传感器，具备感磁部，该感磁部设置在衬底上，由化合物半导体形成，该磁传感器的特征在于，上述感磁部具备输入端子和输出端子，在上述输入端子中的至少一个输入端子上经由连接电极串联连接有具有上述化合物半导体的修调部。
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