[发明专利]镁‑硅复合材料及其制造方法、以及采用该复合材料的热电转换材料、热电转换元件及热电转换模块有效
| 申请号： | 201080028725.1 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102804433B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 饭田努;本多康彦;福岛直树;坂本达也;水户洋彦;难波宏邦;田口豊 | 申请（专利权）人： | 学校法人东京理科大学;丰田通商株式会社 |
| 主分类号： | H01L35/14 | 分类号： | H01L35/14;H01L35/32;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种镁‑硅复合材料。上述镁‑硅复合材料含有Mg2Si，可适用于作为热电转换模块的材料，并具有良好的热电转换性能。上述Mg2Si是对环境的影响小的金属间化合物。根据本发明的镁‑硅复合材料在866K的无因次性能指数为0.665以上。上述镁‑硅复合材料例如当用于热电转换模块时，可获得高的热电转换性能。 | ||
| 搜索关键词： | 复合材料 及其 制造 方法 以及 采用 热电 转换 材料 元件 模块 | ||
【主权项】：
一种镁‑硅复合材料，所述镁‑硅复合材料含有以原子量比计为0.10at％～2.00at％的掺杂物，在管电压40kV、管电流40mA条件下的X射线衍射中，2θ＝36.34～36.68度的Mg峰值强度在12.9cps以下，2θ＝28.30～28.52度的Si峰值强度在340.5cps以下，并且在866K的无因次性能指数为0.665以上。
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