[发明专利]制备有机烷氧基氢硅烷的方法有效
申请号: | 201080028816.5 | 申请日: | 2010-06-21 |
公开(公告)号: | CN102803275A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | W·克尼斯;K·伯格舒森 | 申请(专利权)人: | 瓦克化学股份公司 |
主分类号: | C07F7/20 | 分类号: | C07F7/20 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 过晓东;谭邦会 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种制备硼含量低于100ppb的有机烷氧基氢硅烷的方法,该有机烷氧基氢硅烷具有下式:R1xHySi(OR2)z其中x+y+z=4且x、y、z大于或等于1,其中在第一步骤中,用二氧化硅或硅铝酸盐对硼污染的具有下式的有机卤代氢硅烷进行处理:R1xHySiHalz其中x+y+z=4,x、y、z大于或等于1,且R1是直链或支链的具有1-12个碳原子的烷基、环烷基、芳基、烯基或芳基烷基,Hal是F、Cl、Br或I,随后在第二步骤中将所述二氧化硅或硅铝酸盐从有机卤代氢硅烷中除去,然后使经纯化的有机卤代氢硅烷与醇R2-OH反应,其中R2是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基或叔戊基。 | ||
搜索关键词: | 制备 有机 烷氧基氢 硅烷 方法 | ||
【主权项】:
一种制备硼含量低于100ppb的有机烷氧基氢硅烷的方法,该有机烷氧基氢硅烷具有下式:R1xHySi(OR2)z其中x+y+z=4且x、y、z大于或等于1,其中在第一步骤中,用二氧化硅或硅铝酸盐对硼污染的具有下式的有机卤代氢硅烷进行处理:R1xHySiHalz其中x+y+z=4,x、y、z大于或等于1,且R1是直链或支链的具有1‑12个碳原子的烷基、环烷基、芳基、烯基或芳基烷基,Hal是F、Cl、Br或I,随后在第二步骤中将所述二氧化硅或硅铝酸盐从有机卤代氢硅烷中除去,然后使经纯化的有机卤代氢硅烷与醇R2‑OH反应,其中R2是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基或叔戊基。
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