[发明专利]RF单端/差动转换器有效

专利信息
申请号: 201080028858.9 申请日: 2010-06-28
公开(公告)号: CN102460959A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 苏桑塔·森古普塔;肯尼思·C·巴尼特 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03F1/32 分类号: H03F1/32;H03F3/45
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明揭示用于设计用在例如通信接收器中的高度差动的单端/差动转换器的技术。在示范性实施例中,包括级联互补晶体管的辅助电流路径耦合到包括输入晶体管及级联晶体管的主电流路径。对所述晶体管加偏压,使得由所述辅助电流路径产生的相互调制产物消除由所述主电流路径产生的相互调制产物。在另一示范性实施例中,视所接收的输入信号的电平而以自适应方式对用于所述主电流路径的电流源晶体管加偏压。在示范性实施例中,可将所述技术应用于设计用于在通信接收器中将单端低噪声放大器LNA输出电压与差动混频器输入介接的转换器。
搜索关键词: rf 差动 转换器
【主权项】:
一种包含单端/差动转换器的设备,所述单端/差动转换器包含:第一输入晶体管及第二输入晶体管,所述第一输入晶体管的栅极耦合到单端电压,所述第二输入晶体管的栅极耦合到AC接地电压,所述第一输入晶体管及所述第二输入晶体管由主电流加偏压;分别耦合到所述第一输入晶体管的漏极及所述第二输入晶体管的漏极的第一级联晶体管及第二级联晶体管;耦合到所述第一级联晶体管的漏极及所述第二级联晶体管的漏极的负载元件,所述级联晶体管的所述漏极耦合到差动输出电压;及第一级联互补晶体管及第二级联互补晶体管,所述第一级联互补晶体管的漏极及所述第二级联互补晶体管的漏极分别耦合到所述第二级联晶体管的所述漏极及所述第一级联晶体管的所述漏极,所述第一级联互补晶体管的栅极耦合到所述单端电压,所述第二级联互补晶体管的栅极耦合到AC接地电压,所述级联互补晶体管由辅助电流加偏压。
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