[发明专利]无镉再发光半导体构造无效
| 申请号： | 201080029545.5 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102473817A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 特里·L·史密斯;迈克尔·A·哈斯;托马斯·J·米勒;孙晓光 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/08;H01L33/26 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张爽;樊卫民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开了一种再发光半导体构造(RSC)，其可提供基本无镉的全色RGB或白光发射器件。一些实施例可包括：势阱，其包括将第一光子能量的光转换为更小光子能量的光的III-V半导体；以及窗口，其包括带隙能量大于所述第一光子能量的II-VI半导体。一些实施例可包括势阱，其将具有第一光子能量的光转换为具有更小光子能量的光，并且包括基本无Cd的II-VI半导体。一些实施例可包括：势阱，其包括将具有第一光子能量的光转换为具有更小光子能量的光的第一III-V半导体；以及窗口，其包括带隙能量大于所述第一光子能量的第二III-V半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 再发 半导体 构造 | ||
【主权项】：
一种半导体构造，其包括：第一势阱，所述第一势阱用于将具有第一光子能量的光转换为具有更小的第二光子能量的光，所述第一势阱包括第一III‑V半导体；以及窗口，所述窗口具有大于所述第一光子能量的带隙能量，所述窗口包括第一II‑VI半导体。
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