[发明专利]控制III氮化物器件中的凹坑形成有效
| 申请号： | 201080029720.0 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102473796A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | S.李;N.F.加特纳;Q.L.叶 | 申请（专利权）人： | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 初媛媛;刘鹏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种器件包括半导体结构，该半导体结构包括设置在n型区与p型区之间的III氮化物发光层（26）和设置在n型区和p型区中的一个内的多个层对。每个层对包括InGaN层(20a,20b,20c)和与InGaN层直接接触的凹坑填充层(22a,22b,22c)。凹坑填充层可以填充在InGaN层中形成的凹坑。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 iii 氮化物 器件 中的 形成 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：半导体结构，包括： III氮化物发光层，其设置在n型区与p型区之间；以及 多个层对，设置在n型区和p型区中的一个内，每个层对包括： InGaN层；以及 与InGaN层直接接触的凹坑填充层，其中，凹坑填充层是GaN、AlGaN、AlInGaN和AlInN中的一个。
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