[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201080029758.8 | 申请日: | 2010-06-30 |
公开(公告)号: | CN102473768A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 李东根 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;林锦辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种太阳能电池,所述太阳能电池包括多个后电极图案、光吸收层、前电极、互连部、分隔图案和虚设层。所述后电极图案被安置在衬底上并且彼此隔开。所述光吸收层被安置在所述后电极图案上。所述前电极被安置在所述光吸收层上。所述互连部是穿过所述光吸收层的所述前电极的一部分并且与所述后电极图案电连接。所述分隔图案穿过所述光吸收层和所述前电极,用于限定单元电池。所述虚设层被安置在所述互连部和所述分隔图案之间。所述虚设层的上表面低于所述前电极的上表面。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:多个后电极图案,被安置在衬底上并且彼此隔开;光吸收层,在所述后电极图案上;前电极,在所述光吸收层上;互连部,该互连部是穿过所述光吸收层的所述前电极的一部分并且与所述后电极图案电连接;分隔图案,穿过所述光吸收层和所述前电极,用于限定单元电池;以及虚设层,在所述互连部和所述分隔图案之间,其中,所述虚设层的上表面低于所述前电极的上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080029758.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有多个馈送电路的天线
- 下一篇:封装或安装元件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的