[发明专利]高生产率多孔半导体制造设备

摘要

本发明能够实现高生产率制造半导体基分离层（由单层或多层多孔半导体如多孔硅制成，包括单一孔隙度或多种孔隙度层）、光学反射器（由多层/多种孔隙度的多孔半导体如多孔硅制成），形成用于抗反射涂层、钝化层的多孔半导体（如多孔硅）以及多界面、多带隙太阳能电池（例如，通过在晶体硅薄膜或晶圆基太阳能电池上形成可变带隙的多孔硅发射器）。其他应用包括用于脱模的MEMS分离层和牺牲层的制造以及MEMS装置制造、膜形成和浅沟槽隔离（STI）多孔硅（使用带有最佳孔隙度并在之后氧化形成的多孔硅）。另外，本公开可应用在光伏、MEMS（包括传感器和致动器（单独操作的或与集成半导体微电子集成的））、半导体微电子芯片和光电子的一般领域。

主权项

一种用于在多个半导体晶圆上制造多孔半导体层的设备，包括：用于产生电流的第一电极和第二电极；以堆叠布置的多个半导体晶圆，其中每个所述半导体晶圆通过一围绕所述半导体晶圆设置的边缘晶圆密封保持在原位，其中所述堆叠布置可以相对于垂直方向成任何角度；向所述设备提供电解质的电解质供给端；以及设置在每个所述多个半导体晶圆之间的多个电解质通道或电解质隔室，用于向每个所述半导体晶圆的至少一表面提供所述电解质以及用于从所述表面移除气体。