[发明专利]转换剂体、光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201080030130.X | 申请日： | 2010-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102498751A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 贝尔特·布劳内 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H05B33/14;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李德山;王萍 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本方法的至少一个实施形式中，本方法包括以下步骤：提供具有至少一个有源层的半导体层序列(3)，提供一体式的转换剂体(5)，其中基质材料(50)未完全交联和/或硬化，并且其中转换剂体(5)在室温下具有在邵氏A0到邵氏A35之间的硬度，其中包括边界值，和/或在10Pa·S到150Pa·S之间的粘度，其中包括边界值，将转换剂体(5)施加到半导体层序列(3)上，使得其彼此直接接触，以及使转换剂体(5)硬化，其中在硬化之后，转换剂体(5)的硬度为至少邵氏A30和至多邵氏D80。 | ||
| 搜索关键词： | 转换 光电子 半导体 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于光电子半导体芯片(1)的转换剂体(5)，其具有‑基质材料(50)，以及‑转换剂颗粒(55)，其被嵌入到基质材料(50)中，其中，‑基质材料(50)未完全硬化和/或交联，以及‑转换剂体(5)在室温下具有在邵氏A0到邵氏A35之间的硬度，其中包括边界值，和/或在10Pa·S到150Pa·S之间的粘度，其中包括边界值。
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