[发明专利]基片表面的构形分析装置

摘要

本发明涉及基片(1)表面(2)的构形分析装置，所述基片以X轴的大致上平面轨迹运行，其中X轴限定与Y轴和Z轴的标准正交参照空间，在所述空间中，表面(2)大致上与XY平面平行，所述装置包括所述表面(2)的结构光照装置(10)，所述结构光照装置(10)适于与测量由所述表面(2)反向散射光的装置(20)结合，以便在所述基片(1)运行的过程中分析所述表面(2)的构形，所述结构光照装置(10)能够以入射角‘a’将光束(F)射到表面(2)上，以致在表面上形成“n”条发光条纹(S1、S2…Sn)，每一发光条纹与X轴形成角‘b’，其中测量装置(20)包括位于与XY平面和SZ平面正割的平面P中的线性摄像机，所述平面P与XY平面的交叉点与Y轴形成角‘c’，所述平面P与XZ平面的交叉点与Z轴形成角‘e’，其中角‘a’在30°和70°之间，角‘b’在-45°和+45°之间，角‘c’在-30°和+30°之间，角‘e’在-45°和+45°之间。

主权项

用于基片(1)表面(2)的构形分析装置，所述基片沿X轴的大致上平面轨迹运行，其中X轴与Y轴和Z轴限定了标准正交参照空间，在所述空间中，所述表面(2)大致上与XY平面平行，所述构形分析装置包括所述表面(2)的结构光照装置(10)，所述结构光照装置(10)能够与用于测量由所述表面(2)反向散射光的装置(20)一起操作，以便在所述基片(1)运行的过程中分析所述表面(2)的构形，所述结构光照装置(10)能够以入射角‘a’将光束(F)投射到表面(2)上，以致在所述表面上形成“n”条发光条纹(S1、S2…Sn)，每一发光条纹与X轴形成角‘b’，其中测量装置(20)由位于与XY平面和SZ平面正割的平面P中的线性摄像机构成，所述平面P与XY平面的交叉点与Y轴形成角‘c’，所述平面P与XZ平面的交叉点与Z轴形成角‘e’，其中入射角‘a’在30°和70°之间，角‘b’在‑45°和+45°之间，角‘c’在‑30°和+30°之间，角‘e’在‑45°和+45°之间。