[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201080030336.2 | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102473729A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 及川欣聪;冈崎健一;丸山穗高 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孔青;林毅斌 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开制造具有作为通道形成区域的氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。所述方法包括：在栅绝缘层上形成氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上形成与所述氧化物半导体层接触的源电极层和漏电极层以便暴露所述氧化物半导体层的至少一部分；和在所述氧化物半导体层上形成与所述氧化物半导体层接触的氧化物绝缘膜。在形成所述氧化物绝缘膜之前可在等离子体存在下使所述氧化物半导体的暴露部分暴露于含有氧气的气体中。所述方法允许氧扩散到所述氧化物半导体层中，这促进所述薄膜晶体管的优异特性。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上形成与所述氧化物半导体层接触的金属膜；蚀刻所述金属膜以在所述氧化物半导体层中形成暴露区域且在所述氧化物半导体层上形成与所述氧化物半导体层接触的源电极层和漏电极层；在含有氧元素的气体存在下对所述暴露区域进行等离子体处理；和在所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层上形成与所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层接触的氧化物绝缘膜，其中进行所述蚀刻以使得所述氧化物半导体层的暴露区域的厚度小于用所述源电极层或所述漏电极层覆盖的所述氧化物半导体层的区域。
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