[发明专利]用于选择性移除沉积膜的多孔剥离层有效
申请号: | 201080030559.9 | 申请日: | 2010-05-07 |
公开(公告)号: | CN102460657A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | E.M.萨克斯;A.M.加博尔 | 申请(专利权)人: | 1366科技公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L31/00;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘春元;卢江 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 多孔剥离层帮助从诸如半导体的表面移除膜。在图案化的多孔层之上施加膜,该层包括典型地比膜厚度大的开孔。然后从不想要有膜的区域移除多孔材料和膜。该多孔层可提供为浆液,干燥该浆液以打开孔隙;或者提供为在一范围内当施加热或溶剂时便会解离的临时性颗粒。可以由蚀刻剂移除该膜,所述蚀刻剂通过孔隙进入膜未桥接起固体部分之间的空间的地方,因此蚀刻剂会侵蚀膜的两个表面。 | ||
搜索关键词: | 用于 选择性 沉积 多孔 剥离 | ||
【主权项】:
一种只向光伏器件表面的特定区域提供膜的方法,该方法包括:a.提供表面;b.在该表面的不想要有膜的位置,提供多孔材料;c.在该表面上提供膜,包括已提供该多孔材料的位置和想要有膜的另一位置二者,该膜的厚度不大于该多孔材料的孔的大小;以及d.从该表面移除该多孔材料,并且移除任何已沉积在移除的多孔材料上的膜;藉此该光伏器件表面的已提供多孔材料的区域基本上没有该膜,而其它区域提供有该膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造