[发明专利]III族金属氮化物单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201080030599.3 | 申请日： | 2010-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102471920A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 下平孝直;今井克宏;岩井真 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B9/10 | 分类号： | C30B9/10;C30B29/38;H01L21/208 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国爱知县名*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在基板上形成多个III族金属氮化物单晶的晶种膜(3C)，此时在基板上形成没有被所述晶种膜(3C)覆盖的非育成面(1b)的晶种膜。通过助熔剂法在所述晶种膜上育成III族金属氮化物单晶。多个晶种膜(3C)由所述非育成面(1b)相互分开，且至少在两个方向上排列。晶种膜(3C)的最大内切圆直径(A)为50μm以上、6mm以下，晶种膜(3C)的外接圆直径为50μm以上、10mm以下，非育成面(1b)的最大内切圆直径为100μm以上、1mm以下。 | ||
| 搜索关键词： | iii 金属 氮化物 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种III族金属氮化物单晶的制作方法，该方法包括：在基板上形成多个III族金属氮化物单晶的晶种膜，此时在基板上形成没有被所述晶种膜覆盖的非育成面的晶种膜制作步骤；和通过助熔剂法在所述晶种膜上育成III族金属氮化物单晶的育成步骤，其特征在于，所述多个晶种膜由所述非育成面相互分开，且至少在两个方向上排列，所述晶种膜的最大内切圆直径为50μm以上、6mm以下，所述晶种膜的外接圆直径为50μm以上、10mm以下，所述非育成面的最大内切圆直径为100μm以上、1mm以下。
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