[发明专利]半导体用膜和半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201080031116.1 | 申请日： | 2010-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102498548A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 安田浩幸;平野孝;织田直哉 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/02;C09J201/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;洪燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体用膜，是依次层叠支承膜、第二粘着层、第一粘着层和粘接层来形成，并以如下方式构成：在粘接层上层叠半导体晶片并在通过切割使该半导体晶片单片化时支承半导体晶片，而且在拾取单片化的半导体元件时，第一粘着层与粘接层之间有选择性地发生剥离。该半导体用膜的特征在于，第一粘着层的平均厚度为20μm～100μm。基于此，可容易且可靠地控制切割时所形成的切槽前端停止于第一粘着层内，并能够防止因切槽达到支承膜所造成的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体用膜，所述半导体用膜是依次层叠粘接层和至少一层粘着层以及支承膜来形成，用于在所述粘接层的与所述粘着层相反侧的面上层叠半导体晶片，通过在该状态下切割该半导体晶片和所述粘接层来分别进行单片化，并从所述支承膜拾取所得到的单片，其特征在于，所述粘着层包含平均厚度为20μm～100μm的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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