[发明专利]使用基于锌、硅和氧的接合层的接合方法及相应的结构体无效
| 申请号： | 201080031145.8 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102640303A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 尚塔尔·艾尔纳 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及用于制造半导体结构体的方法和结构体，所述半导体结构体含有至少一个接合层(106)以使两个以上元件(102、114)彼此连接。所述至少一个接合层可以至少基本上由锌、硅和氧构成。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 基于 接合 方法 相应 结构 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体结构体的方法，所述方法包括：在第一元件和第二元件中的至少一个的表面上提供至少基本上由锌、硅和氧构成的接合层；在所述第一元件和所述第二元件之间设置所述接合层；和使用设置在所述第一元件和所述第二元件之间的所述接合层使所述第一元件和所述第二元件在接合界面处彼此连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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