[发明专利]分析气体的设备和方法以及相关的测量站

摘要

本发明涉及用于测量半导体衬底的输送壳中的气体污染的站，包括气体分析设备以确定要分析的气体的浓度，所述分析设备包括：稀释单元(3)，配置为根据稀释系数(D)稀释要分析的气体的流量(Q)，以及分析单元(5)，通过采样管(7)与所述稀释单元(3)连通以便通过抽吸采样稀释后气体的流量(Qa)，并且包括至少一个处理装置以用于：分析所采样的稀释后气体的流量(Qa)，以及根据所分析的稀释后气体的流量(Qa)和所述稀释系数(D)，确定要分析的气体流量的浓度(C)。本发明还涉及相关的气体分析方法。

主权项

一种用于测量半导体衬底的输送壳中的气体污染的站，其包括气体分析设备以确定要分析的气体的浓度，所述分析设备包括：稀释单元(3)，配置为根据稀释系数(D)稀释要分析的气体的流量(Q)，以及分析单元(5)，通过采样管(7)与所述稀释单元(3)连通以便通过抽吸采样稀释后气体的流量(Qa)，并且包括至少一个处理装置以用于：分析所采样的稀释后气体的流量(Qa)，以及根据所分析的稀释后气体的流量(Qa)和所述稀释系数(D)，确定要分析的气体流量的浓度(C)。