[发明专利]用于干燥半导体晶片的方法有效
申请号: | 201080031502.0 | 申请日: | 2010-07-01 |
公开(公告)号: | CN102473620A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 奥雷利亚·普利翁 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | 披露了干燥板状物体的方法;该方法包括用水成的冲洗液冲洗,随后用有机溶剂冲洗,其中该有机溶剂水含量的质量百分比低于20%,其中该有机溶剂在至少为30℃且不高于60℃的溶剂温度下供给。 | ||
搜索关键词: | 用于 干燥 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】:
用于干燥板状物体的方法;所述方法包括用水成的冲洗液冲洗,随后用有机溶剂冲洗,其中所述有机溶剂中水含量的质量百分比低于20%,其中所述有机溶剂在至少为30℃且不高于60℃的溶剂温度下供给。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造