[发明专利]CVD腔室的流体控制特征结构有效
申请号: | 201080031919.7 | 申请日: | 2010-07-15 |
公开(公告)号: | CN102754190A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 坚·N·祝;起威·梁;汉·D·阮;陈兴隆;马修·米勒;朴素纳;端·Q·陈;阿迪卜·汗;杨张圭;德米特里·鲁博弥尔斯克;山卡尔·文卡特拉曼 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供用于气体散布组件的设备与方法。在一方面中,提供一种气体散布组件,其包含:环形本体,其包含:环形圈,其具有内环形壁、外壁、上表面与底表面;上凹部,其形成到该上表面内;及座部,其形成到该内环形壁内;上板,其设置在该上凹部中且包含:盘形本体,其具有多个形成为从其中通过的第一穿孔;及底板,其设置在该座部上且包含:盘形本体,其具有多个形成为从其中通过的第二穿孔,这些第二穿孔和这些第一穿孔对准;及多个第三穿孔,其形成在这些第二穿孔之间且通过该底板,该底板密封地连接到该上板以将该多个第一、第二穿孔与该多个第三穿孔流体地隔离。 | ||
搜索关键词: | cvd 流体 控制 特征 结构 | ||
【主权项】:
一种气体散布组件,包含:环形本体,其包含:环形圈,其具有设置在内径处的内环形壁、设置在外径处的外壁、上表面和底表面;上凹部,其形成到所述上表面内;唇部,其相对于所述内环形壁径向向外形成;及座部,其形成到所述内环形壁内;上板,其设置在所述上凹部中且包含:盘形本体,其具有形成为从其中通过的多个第一穿孔,其中,这些第一穿孔延伸超过所述本体的表面,从而形成多个凸起的圆柱状本体;及底板,其设置在所述座部上且包含:盘形本体,其具有形成为从其中通过的多个的第二穿孔,这些第二穿孔和这些第一穿孔对准;及多个第三穿孔,其形成在这些第二穿孔之间且通过所述底板,所述底板密封地连接到所述上板以将所述多个第一、第二穿孔与所述多个第三穿孔流体地隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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