[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、以及显示装置无效
| 申请号： | 201080032084.7 | 申请日： | 2010-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102473644A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/312;H01L21/316;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，其特征在于，包括：在基板上设置的含有Al或者Al合金的栅电极、设置成覆盖该栅电极的至少上面且含有对该栅电极的Al或者Al合金进行了阳极氧化的阳极氧化膜的栅极绝缘膜、和厚度实质上等于上述栅电极的厚度及其上面的栅极绝缘膜的厚度的总厚度且以包围上述栅电极的方式设置于上述基板上的绝缘体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：在基板上设置的含有Al或者Al合金的栅电极、设置成覆盖该栅电极的至少上面且含有对该栅电极的Al或者Al合金进行了阳极氧化的阳极氧化膜的栅极绝缘膜、和按照厚度实质上等于所述栅电极的厚度及其上面的栅极绝缘膜的厚度的总厚度且包围所述栅电极的方式设置于所述基板上的绝缘体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
