[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201080032159.1 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102473731A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;细羽幸;野田耕生;大原宏树;佐佐木俊成;坂田淳一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的高度可靠半导体器件，以及其制造方法。在制造包括薄膜晶体管(其中包括沟道形成区的半导体层是氧化物半导体层)在内的半导体器件的方法中，在氧气气氛中执行减少诸如湿气之类的杂质来改进氧化物半导体层的纯度并氧化该氧化物半导体层的热处理(用于脱水或脱氢的热处理)。不仅减少氧化物半导体层中诸如湿气之类的杂质，还减少了栅绝缘层中已经存在的那些杂质，且减少了诸如在氧化物半导体层与被设置在与氧化物半导体层接触的上面和下面的膜之间界面中存在的湿气之类的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成氧化物半导体层；在氧气气氛中加热所述氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上形成源和漏电极层；在所述栅绝缘层、所述氧化物半导体层和所述源和漏电极层上形成与所述氧化物半导体层的部分相接触的氧化物绝缘层；以及在氧气气氛或惰性气体气氛中执行热处理。
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