[发明专利]沉积量测定装置、沉积量测定方法及电化学元件用电极的制造方法

摘要

本发明提供一种沉积量测定装置、沉积量测定方法及电化学元件用电极的制造方法。本发明的制造方法包括向附加了与锂形成化合物的层的基板沉积锂的工序。在沉积工序之前，对基板照射第一β射线及第二β射线，测定第一β射线及第二β射线的来自基板的背向散射。在沉积工序之后，向基板照射第一β射线及第二β射线，测定第一β射线及第二β射线的来自基板的背向散射。计算沉积工序前后的第一β射线的背向散射的减少量及第二β射线的背向散射的减少量。根据第一β射线的背向散射的减少量及第二β射线的背向散射的减少量，进行沉积工序的控制。

主权项

一种电化学元件用电极的制造方法，包括：沉积工序，向附加了与锂形成化合物的层的基板沉积锂；第一β射线照射工序，在所述沉积工序之前，对所述基板利用第一β射线源照射第一β射线，并且利用具有与所述第一β射线源的核素不同的核素的第二β射线源照射第二β射线；第一测定工序，测定所述第一β射线照射工序中照射的所述第一β射线及所述第二β射线的来自所述基板的背向散射；第二β射线照射工序，在所述沉积工序之后，向所述基板照射所述第一β射线及所述第二β射线；第二测定工序，测定所述第二β射线照射工序中照射的所述第一β射线及所述第二β射线的来自所述基板的背向散射；计算工序，利用所述第一测定工序中获得的结果与所述第二测定工序中获得的结果，计算所述第一β射线的背向散射的减少量及所述第二β射线的背向散射的减少量；和控制工序，根据所述第一β射线的背向散射的减少量及所述第二β射线的背向散射的减少量，进行所述沉积工序的控制。