[发明专利]光电转换装置无效
| 申请号： | 201080032318.8 | 申请日： | 2010-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102473754A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于，提供一种适合于设置有散热装置的构造的具有钝化层的光电转换装置，本发明的光电转换装置(1)具有：第一电极层(20)、具有由a-Si(非晶硅)形成的nip构造的单一的发电层叠体(22)、以及在该发电层叠体(22)上隔着镍层(24)成膜的Al的第二电极层(26)。在第二电极层(26)上形成由含有SiCN的材料构成的钝化层(28)。在钝化层28上隔着粘接剂层29安装有散热器30(例如由Al形成)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置，其特征在于，具有：将入射光的能量转换成电能的光电转换元件、和设置于所述光电转换元件的散热部，所述光电转换元件具有设置于与所述散热部接触的部分且由含有SiCN的材料构成的钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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