[发明专利]改进用于MRI的低噪声前置放大器的输入阻抗有效
| 申请号： | 201080032378.X | 申请日： | 2010-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102804595A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | A·赖高斯基 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/08 | 分类号： | H03F1/08;H03F1/10;H03F3/193 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;刘炳胜 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 前置放大器(46)包括具有公共源极配置的场效应晶体管(64)。当场效应晶体管的栅极被耦合到放大器输入电路(例如MRI线圈)时，场效应晶体管(64)的漏极被耦合到放大器输出端。该前置放大器还包括第一源-地连接部(66)和第二源-地连接部(68)。第一源-地引线(66)将场效应晶体管的源极耦合到放大器输入电路的接地节点，而第二源-地引线(68)将场效应晶体管的源极耦合到放大器输出电路的接地节点。结果，放大器输出电流基本在第二源-地引线(68)两端生成电压降。因此，放大器输入电路较少地受到任何公共源-地连接部两端的任何公共电压降的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 用于 mri 噪声 前置放大器 输入阻抗 | ||
【主权项】：
一种具有FET设备(46)的前置放大器设备(44)，其包括：栅极(60)；漏极(62)；耦合到浮动接地端(46地)的第一源极(66)；以及耦合到第二接地端(44地)的第二源极(68)。
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