[发明专利]研磨剂、浓缩一液式研磨剂、二液式研磨剂以及基板研磨方法有效
申请号: | 201080032887.2 | 申请日: | 2010-09-14 |
公开(公告)号: | CN102473622A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 龙崎大介;成田武宪;星阳介;岩野友洋 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/04;C09K3/14 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金鲜英;刘强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的研磨剂含有:4价金属氢氧化物粒子,阳离子化聚乙烯醇,选自由氨基糖、该氨基糖的衍生物、具有氨基糖的多糖类以及该多糖类的衍生物所组成的组的至少一种糖类,以及水。本发明的基板研磨方法包括如下的工序:在将形成有氧化硅膜(被研磨膜)1的硅基板2的该氧化硅膜1按压于研磨定盘的研磨垫上的状态下,一边将本发明的研磨剂供给至氧化硅膜1与研磨垫之间,一边使基板2与研磨定盘相对移动而对氧化硅膜1进行研磨。 | ||
搜索关键词: | 研磨剂 浓缩 一液式 二液式 以及 研磨 方法 | ||
【主权项】:
一种研磨剂,其含有:4价金属氢氧化物粒子,阳离子化聚乙烯醇,选自由氨基糖、该氨基糖的衍生物、具有氨基糖的多糖类以及该多糖类的衍生物所组成的组的至少一种糖类,以及水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造