[发明专利]单晶硅提拉用氧化硅玻璃坩埚有效

专利信息
申请号: 201080033032.1 申请日: 2010-07-28
公开(公告)号: CN102471922A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 须藤俊明;佐藤贤 申请(专利权)人: 日本超精石英株式会社
主分类号: C30B15/10 分类号: C30B15/10;C03B20/00;C30B29/06
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽
地址: 日本秋田县*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种在高温环境下强度高,且提拉结束后能简单取出的氧化硅玻璃坩埚。氧化硅玻璃坩埚(10)具有设置于坩埚外表面侧的氧化硅玻璃外层(13a)、设置于坩埚内表面侧的氧化硅玻璃内层(13c)、设置于氧化硅玻璃外层(13a)和氧化硅玻璃内层(13c)之间的氧化硅玻璃中间层(13b)。氧化硅玻璃外层(13a)有100ppm以上的矿化剂浓度,氧化硅玻璃中间层(13b)和氧化硅玻璃内层(13c)具有50ppm以下的矿化剂浓度。优选的,氧化硅玻璃外层(13a)和氧化硅玻璃中间层(13b)由天然氧化硅组成,氧化硅玻璃内层(13c)由高纯度天然氧化硅或合成氧化硅组成。而且,底部(10B)的氧化硅玻璃外层(13a)的厚度是0.5mm~2.0mm,侧壁部(10A)的氧化硅玻璃外层(13a)厚于底部(10B)的氧化硅玻璃外层(13a)。
搜索关键词: 单晶硅 提拉用 氧化 玻璃 坩埚
【主权项】:
一种氧化硅玻璃坩埚,包括侧壁部、弯曲部及底部,其特征在于:  还具有设置于所述坩埚外表面侧的氧化硅玻璃外层,设置于所述坩埚内表面侧的氧化硅玻璃内层,以及设置于所述氧化硅玻璃外层和所述氧化硅玻璃内层之间的氧化硅玻璃中间层,其中,  所述氧化硅玻璃外层具有100ppm以上的矿化剂浓度,  所述氧化硅玻璃中间层及所述氧化硅玻璃内层具有50ppm以下的矿化剂浓度,  所述底部的氧化硅玻璃外层的厚度为0.5mm以上且2.0mm以下,  所述侧壁部的氧化硅玻璃外层的厚度比所述坩埚底部的氧化硅玻璃外层的厚度厚。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本超精石英株式会社,未经日本超精石英株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080033032.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top