[发明专利]基于纳米结构的NAND闪存单元及其外围电路的形成方法

摘要

将基于纳米结构的电荷存储区域(CSR1-CSR5)包括在非易失性存储器设备中，并且与选择栅极(SG1)和外围电路(PG1、PG2)的制作集成在一起。在存储器阵列区和外围电路区的衬底上，应用一个或多个纳米结构涂层。提供用于从衬底的非期望区(例如用于选择栅极和外围晶体管的目标区)除去纳米结构涂层的各种方法。在一个示例中，使用基于自组装的过程形成一个或多个纳米结构涂层，以在衬底的有源区上有选择地形成纳米结构。自组装允许形成彼此电绝缘的离散的纳米结构线，而不需要对纳米结构涂层进行图案化或蚀刻。

主权项

一种制造非易失性存储器的方法，包括：在衬底中形成多个隔离槽，所述隔离槽在第一方向上延伸，在垂直于所述第一方向的第二方向上相邻的隔离槽之间有间隔，所述隔离槽填充有隔离材料，每一隔离槽中的所述隔离材料包括延伸到所述衬底的表面以上的部分；在所述衬底的表面上形成隧道电介质层；在从每一隔离槽延伸出的所述隔离材料的相邻部分之间的所述隧道电介质层上使纳米结构涂层自校准；在所述纳米结构涂层上形成中间电介质层；在所述中间电介质层上形成控制栅极层；形成包括多个条状部的图案，所述多个条状部在所述第二方向上延伸，且在所述第一方向上在所述条状部之间有间隔；以及根据所述图案对所述控制栅极层、所述中间电介质层以及所述纳米结构涂层进行蚀刻，其中，对所述控制栅极层的蚀刻形成在所述第二方向上延伸的多个字线，且对所述纳米结构涂层的蚀刻形成多列电荷存储区域。