[发明专利]用于原子层沉积的设备无效
申请号: | 201080034025.3 | 申请日: | 2010-07-30 |
公开(公告)号: | CN102471887A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | G·努涅斯;R·D·基纳德 | 申请(专利权)人: | 纳幕尔杜邦公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/455 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王伦伟;李炳爱 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了用于将材料原子层沉积在移动基底上的设备,所述设备包括用于沿着预定的平面或弯曲行进路径移动基底的传输装置和具有至少一个前体递送通道的涂覆杆。所述前体递送通道将包含待沉积在基底上材料的流体朝向行进路径引导。在使用时,可沿着行进路径移动的基底限定所述前体递送通道的出口端与所述基底之间的间隙。所述间隙限定对于来自前体递送通道的流体流的阻抗Zg。在前体递送通道内部设置了限流器,其表现出对于通过穿过它的流的预定阻抗Zfc。所述限流器的尺寸被设置成使得所述阻抗Zfc为所述阻抗Zg的至少五(5)倍,并且更优选地为至少十五(15)倍。所述阻抗Zfc具有摩擦因子f。前体递送通道中的限流器的尺寸被设置成使得阻抗Zfc具有小于100,并且优选地小于10的摩擦因子f。 | ||
搜索关键词: | 用于 原子 沉积 设备 | ||
【主权项】:
用于将材料原子层沉积在移动基底上的设备,所述设备包括:用于沿着预定行进路径使基底移动通过所述设备的传输装置;具有本文所定义的至少一个前体递送通道的涂覆杆,所述前体递送通道具有出口端,所述前体递送通道能够将包含待沉积在基底上的材料的流体朝向行进路径引导;这样,当使用时,可沿着行进路径移动的基底限定所述前体递送通道的出口端与所述基底之间的间隙,所述间隙限定对于来自所述前体递送通道的流体流的阻抗Zg,设置在所述前体递送通道内部的限流器,所述限流器呈现对于所述前体递送通道中的所述流的预定阻抗Zfc,通过所述阻抗Zfc的所述流具有摩擦因子f,其中所述限流器的尺寸被设置成使得所述阻抗Zfc为所述阻抗Zg的至少五(5)倍并且所述摩擦因子f小于100。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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