[发明专利]氮化物半导体激光二极管有效
| 申请号： | 201080034220.6 | 申请日： | 2010-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102474077A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 三好隆 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体激光二极管，其包含衬底；n侧氮化物半导体层，形成在衬底上；活性层，形成在n侧氮化物半导体层上，且具有包含InxAlyGa1-x-yN(0＜x＜1，0≤y＜1，0＜x+y＜1)的发光层；以及p侧氮化物半导体层，形成在活性层上；且，氮化物半导体激光二极管的振荡波长为500nm以上，以活性层为起点产生的位错贯穿所述p侧氮化物半导体层，p侧氮化物半导体层的位错密度达到1×106cm-2以上，p型杂质的深度方向的浓度分布是在从发光层朝向p侧氮化物半导体层的表面而和最靠近p侧氮化物半导体层的发光层的上端相距300nm以内的范围内，具有p型杂质浓度达到5×1018cm-3以上的最大值，且当过了最大值后，在所述300nm以内的范围内，p型杂质浓度不低于6×1017cm-3。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 激光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体激光二极管，其包含衬底；n侧氮化物半导体层，形成在所述衬底上，且含有n型杂质；活性层，形成在所述n侧氮化物半导体层上，且具有包含InxAlyGa1‑x‑yN(0＜x＜1，0≤y＜1，0＜x+y＜1)的发光层；以及p侧氮化物半导体层，形成在所述活性层上，且包含p型杂质；其特征在于：所述氮化物半导体激光二极管的振荡波长为500nm以上，以所述活性层为起点产生的位错贯穿所述p侧氮化物半导体层，所述p侧氮化物半导体层的位错密度达到1×106cm‑2以上，所述p型杂质的深度方向的浓度分布是在从所述发光层朝向所述p侧氮化物半导体层的表面而和最靠近所述p侧氮化物半导体层的所述发光层的上端相距300nm以内的范围内，具有p型杂质浓度达到5×1018cm‑3以上的最大值，且当过了所述最大值后，在所述300nm以内的范围内，所述p型杂质浓度不低于6×1017cm‑3。
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