[发明专利]LED搭载用晶片及其制造方法、以及使用该晶片的LED搭载结构体有效
| 申请号： | 201080034961.4 | 申请日： | 2010-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102484188A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 广津留秀树;石原庸介;塚本秀雄 | 申请（专利权）人： | 电气化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L21/02;H01L33/64 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供与LED在线性热膨胀系数上的差异小且导热性优异的LED搭载用晶片、该LED搭载用晶片的制造方法、以及使用该LED搭载用晶片制造的LED搭载结构体。优选LED搭载用晶片(6)是由金属浸渗陶瓷复合体(61)以及在其周围形成的保护层(62)构成，金属浸渗陶瓷复合体(61)在表面具有金属薄层(63)。一种晶片的制造方法，其特征在于，在金属制或陶瓷制的管状体的内部填充选自陶瓷多孔体、陶瓷粉末成形体及陶瓷粉末中的至少一者，之后，使选自这些陶瓷多孔体、陶瓷粉末成形体及陶瓷粉末中的至少一者所具有的空隙部浸渗金属，然后进行加工。 | ||
| 搜索关键词： | led 搭载 晶片 及其 制造 方法 以及 使用 结构 | ||
【主权项】：
一种LED搭载用晶片(6)，其特征在于，由金属浸渗陶瓷复合体(61)及在其周围形成的保护层(62)构成。
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