[发明专利]导电性高分子复合结构体、导电性高分子复合结构体的制造方法以及驱动器元件无效
| 申请号： | 201080034996.8 | 申请日： | 2010-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102481756A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 佐藤雄一;田中昇;中山实 | 申请（专利权）人： | 伊美克斯株式会社 |
| 主分类号： | B32B7/02 | 分类号： | B32B7/02;B32B5/14;B32B27/00;B32B27/16;C08J7/00;H02N11/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;赵曦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供不需要在电极间另外设置间隔件就能够实现小型化、成本降低、操作性提高且耐冲击性也优异的导电性高分子复合结构体及其制造方法，进而提供使用了前述导电性高分子复合结构体的驱动器元件。一种导电性高分子复合结构体，其特征在于，为至少含有1层导电性高分子层的导电性高分子复合结构体，前述导电性高分子层的表层为绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 高分子 复合 结构 制造 方法 以及 驱动器 元件 | ||
【主权项】：
一种导电性高分子复合结构体，其特征在于，为至少含有1层导电性高分子层的导电性高分子复合结构体，所述导电性高分子层的表层为绝缘层。
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