[发明专利]包含石墨烯基层的电子装置和/或其制造方法有效

专利信息
申请号: 201080035069.8 申请日: 2010-07-16
公开(公告)号: CN102656702A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 维嘉恩·S.·维拉萨米 申请(专利权)人: 格尔德殿工业公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/075;H01L31/0392;B82Y30/00;G06F3/041;H01Q1/38
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫
地址: 美国(48326-171*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明的特定示例实施例涉及石墨烯作为透明导电涂层(TCC)的使用。在特定的示例实施方式中,石墨烯薄膜比如,在催化剂薄膜上,从碳氢化合物气体(比如,CoH2,CH4,或类似的)异质外延地大面积增大。特定的示例实施方式的石墨烯薄膜可以是掺杂的或无掺杂的。在特定的示例实施方式中,石墨烯薄膜,一旦形成,可以从它们的载体基板剥离(lifted off)并转移到接收基板,例如,用于包含在中间或最终产品中。石墨烯以这种方式增大,剥离(lifted),和转移可以显示低片电阻(比如,低于150欧姆/平方且低于当掺杂时)和高透射值(比如,至少在可见的和红外光谱内)。
搜索关键词: 包含 石墨 基层 电子 装置 制造 方法
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:玻璃基板;直接或间接地位于玻璃基板上的第一石墨烯基传导层;接触第一石墨烯基传导层的第一半导体层;直接或间接地位于第一半导体层上的至少一个吸收层;直接或间接地位于至少一个吸收层上的第二半导体层;接触第二半导体层的第二石墨烯基的传导层,和直接或间接地位于第二石墨烯基的传导层上的背接触体。
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