[发明专利]包含石墨烯基层的电子装置和/或其制造方法有效
申请号: | 201080035069.8 | 申请日: | 2010-07-16 |
公开(公告)号: | CN102656702A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 维嘉恩·S.·维拉萨米 | 申请(专利权)人: | 格尔德殿工业公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/075;H01L31/0392;B82Y30/00;G06F3/041;H01Q1/38 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 美国(48326-171*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的特定示例实施例涉及石墨烯作为透明导电涂层(TCC)的使用。在特定的示例实施方式中,石墨烯薄膜比如,在催化剂薄膜上,从碳氢化合物气体(比如,CoH2,CH4,或类似的)异质外延地大面积增大。特定的示例实施方式的石墨烯薄膜可以是掺杂的或无掺杂的。在特定的示例实施方式中,石墨烯薄膜,一旦形成,可以从它们的载体基板剥离(lifted off)并转移到接收基板,例如,用于包含在中间或最终产品中。石墨烯以这种方式增大,剥离(lifted),和转移可以显示低片电阻(比如,低于150欧姆/平方且低于当掺杂时)和高透射值(比如,至少在可见的和红外光谱内)。 | ||
搜索关键词: | 包含 石墨 基层 电子 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:玻璃基板;直接或间接地位于玻璃基板上的第一石墨烯基传导层;接触第一石墨烯基传导层的第一半导体层;直接或间接地位于第一半导体层上的至少一个吸收层;直接或间接地位于至少一个吸收层上的第二半导体层;接触第二半导体层的第二石墨烯基的传导层,和直接或间接地位于第二石墨烯基的传导层上的背接触体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的