[发明专利]用于制造甲硅烷的装置和方法无效

专利信息
申请号: 201080035278.2 申请日: 2010-08-02
公开(公告)号: CN102548628A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: A·佩特里克;J·哈恩;C·施米德 申请(专利权)人: 施米德硅晶片科技有限责任公司
主分类号: B01D3/00 分类号: B01D3/00;C01B33/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 肖日松;杨国治
地址: 德国弗罗*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 描述了用于通过三氯硅烷(SiHCl3)的催化歧化来制造甲硅烷(SiH4)的装置和方法。三氯硅烷在反应塔(100)中在催化剂处转化并且紧接着在精馏塔(109)中提纯。在反应塔(100)中的反应/蒸馏的反应区域(104;105)和精馏塔(109)之间布置一个或多个冷凝器(103),在该冷凝器(103)中来自反应塔(100)的含甲硅烷的反应产物部分冷凝。在此,然而仅涉及在温度高于-40℃时运行的冷凝器。
搜索关键词: 用于 制造 硅烷 装置 方法
【主权项】:
一种用于通过三氯硅烷的催化歧化来制造甲硅烷的装置,包括·反应塔(100),带有:反应/蒸馏的反应区域(104;105),在所述反应区域(104;105)中三氯硅烷在催化剂处转化;和用于含甲硅烷的反应产物的导出管路(102),·精馏塔(109),在所述精馏塔(109)中将含甲硅烷的反应产物提纯,以及·在所述反应塔(100)中的所述反应/蒸馏的反应区域(104;105)和所述精馏塔(109)之间的一个或多个冷凝器(103),在所述一个或多个冷凝器(103)中含甲硅烷的反应产物在随后的在所述精馏塔(109)中的提纯前而部分冷凝,其中,布置在所述反应/蒸馏的反应区域(104;105)和所述精馏塔(109)之间的所述冷凝器(103)中没有一个具有低于负40℃的运行温度。
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