[发明专利]压电元件的制造方法

摘要

提供通过等离子体蚀刻将强电介质膜加工成良好的形状的压电元件的制造方法。在将下部电极层和强电介质膜以该顺序层叠于基板上的处理对象物上，配置有由难以被氧气蚀刻的金属薄膜构成的金属掩模。使含有氧气和在化学结构中含有氟的反应气体的混合气体的蚀刻气体等离子体化，使金属掩模与处理对象物接触，另外，向处理对象物下的电极施加交流电压，使等离子体中的离子入射，对强电介质膜进行各向异性蚀刻。能够进行长时间的蚀刻，蚀刻生成物没有附着在所蚀刻的侧面，得到具有良好的形状的强电介质膜的压电元件。

主权项

一种压电元件的制造方法，所述压电元件具有：基板；由导电性材料构成的下部电极膜；由氧化物强电介质构成的强电介质膜；以及由导电性材料构成的上部电极膜，所述下部电极膜、所述强电介质膜以及所述上部电极膜以该顺序配置于所述基板上，向所述上部电极膜与所述下部电极膜之间施加电压时，所述强电介质膜的形状变形；停止电压的施加时，变形复原，其中，所述压电元件的制造方法具有：金属掩模配置工序，在所述上部电极膜和所述强电介质膜以该顺序层叠于所述基板上的处理对象物的表面的所述强电介质膜上，形成由图案化的金属薄膜构成的金属掩模，使所述强电介质膜的表面部分地露出，而覆盖其他部分；以及蚀刻工序，向配置于所述处理对象物的背面侧的电极施加交流电压，并且在所述成膜对象物的表面侧形成含有氧气和在化学结构中含有氟的反应气体的混合气体的蚀刻气体的等离子体，使所述等离子体与所述金属掩模和所述强电介质膜接触，并且，使所述等离子体中的离子入射，除去露出于所述金属掩模的开口底面的所述强电介质膜，使所述下部电极膜露出。